TOP5头条内存芯片漏洞可让攻击者改 [复制链接]

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5月27日全球信安资讯

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内存芯片漏洞可让攻击者改变数据内容

信源：securityaffairs

Google揭示了一种新的Rowhammer攻击，该攻击利用了不断缩小且密度更高的DRAM芯片的设计。

谷歌发现了一个名为“Half-Double”的新Rowhammer漏洞，该漏洞演变了年首次报道的DRAM内存攻击方式，并暗示Rowhammer问题不会很快消失。Rowhammer攻击很罕见，因为它旨在通过快速重复访问RAM芯片上一个存储行中的数据以产生电荷来改变存储在芯片上相邻“内存行”中其他地址的数据，从而引起“位翻转”。攻击内存行称为“攻击者”，发生位翻转的行称为“受害者行”。

自从首次发现Rowhammer攻击以来，多年来，研究人员展示了许多方法来使用该技术来更改存储在RAM卡（包括DDR3和DDR4代）上的数据。尽管最初仅限于攻击者可以物理访问目标的情况，但研究人员最终证明，可以通过Web远程进行Rowhammer攻击，并使用该技术来控制云中的LinuxVM。正如GoogleProjectZero（GPZ）研究人员在年所解释的那样，Rowhammer攻击者之所以起作用，是因为DRAM单元正逐渐变得越来越小，越来越靠近。小型化和增加更多存储容量的能力使得防止DRAM单元彼此电气交互变得更加困难。

GPZ研究人员对位翻转解释说：“访问存储器中的一个位置可能会干扰相邻位置，从而导致电荷泄漏到相邻单元中或从相邻单元中泄漏出来。如果进行足够的访问，这会将单元的值从1更改为0，反之亦然。”Google研究人员在新的博客中解释说，Google在GitHub上的PDF中详细介绍了Half-Double，它利用了一些较新的DRAM芯片不断恶化的物理特性来改变存储器的内容。这种攻击方式可与对CPU的推测执行攻击（Spectre和Meltdown）相提并论，但更侧重于DRAM中的设计漏洞。如果攻击者成功利用了这些设计问题，后果可能是非常糟糕的。

“由于硅本身中的电耦合现象，Rowhammer使硬件和软件存储保护*策的潜在绕行。这可以允许不受信任的代码，以打破其沙箱中，并全面控制其系统。”谷歌的研究团队包括SalmanQazi，YonguKim，NicolasBoichat，EricShiu和MattiasNissler。现在是Google的软件工程师的Kim是报告第一个Rowhammer漏洞的研究人员之一。

Half-Double扩展了原始的Rowhammer攻击，这可能导致在一个DRAM行的距离处发生位翻转。Half-Double显示侵略者行会导致较远的受害者行发生位翻转。研究小组指出：“使用Half-Double，我们观察到Rowhammer效应传播到邻近的行，尽管强度有所降低。鉴于连续三行A，B和C，我们能够通过对A进行大量访问，而对B进行少量访问（约数十次）来攻击C。根据我们的实验，对B的访问具有非线性门控效应，它们似乎将A的Rowhammer效应“传输”到C上。”

Half-Double很有趣，因为它是下面的硅基板的属性，并且表明单元密度的增加意味着Rowhammer漏洞将继续存在。他们补充说，Half-Double也不同于年详细介绍的针对DDR4RAM的TRRespass攻击，后者依靠逆向工程来破坏DRAM供应商为防止DDR4遭受这些攻击而采取的Rowhammer缓解措施。研究人员指出：“这很可能表明负责Rowhammer的电耦合是距离的一种特性，随着电池几何尺寸的缩小，它实际上会变得更牢固，范围更广。可以想象到距离大于2。”

Google还一直在与半导体工程贸易组织JEDEC合作，以寻找缓解Rowhammer的方法。

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比利时内*部表示遭到了复杂网络攻击

信源：bleeping